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k8凯发天生赢家一触即发先进|尚书好孕txt|封装大战升级!

来源:凯发k8·[中国]官方网站 发布时间:2023-12-05

  k8凯发(中国)官方网站天生赢家·一触即发ღღ✿,AG凯发k8真人娱乐ღღ✿,凯发k8·[中国]官方网站ღღ✿,凯发k8娱乐官网app下载半个多世纪以来ღღ✿,微电子技术遵循着 摩尔定律 快速发展ღღ✿。但近年来ღღ✿,随着芯片制程工艺的演进ღღ✿, 摩尔定律 迭代进度放缓ღღ✿,导致芯片的性能增长边际成本急剧上升ღღ✿。

  在摩尔定律减速的同时ღღ✿,计算需求却在暴涨ღღ✿。随着云计算ღღ✿、大数据ღღ✿、人工智能ღღ✿、自动驾驶等新兴领域的快速发展ღღ✿,对算力芯片的效能要求越来越高ღღ✿。

  其中ღღ✿,先进封装成为一条重要赛道ღღ✿,在提高芯片集成度ღღ✿、缩短芯片距离ღღ✿、加快芯片间电气连接速度以及性能优化的过程中扮演了重要角色ღღ✿。

  根据市场调研机构 Yole 数据预测ღღ✿,全球先进封装市场规模将由 2022 年的 443 亿美元ღღ✿,增长到 2028 年的 786 亿美元ღღ✿,年复合成长率为 10.6%ღღ✿。此外ღღ✿,先进封装的市场比重将逐渐超越传统封装ღღ✿,成为封测市场贡献主要增量ღღ✿。

  全产业链上下游企业齐头涌入ღღ✿,恰恰说明了先进封装技术的不可或缺ღღ✿。而如今ღღ✿,随着先进封装技术不断创新ღღ✿,市场参与者和商业模式正在不断扩大和演变ღღ✿,这一领域的竞争变得越来越激烈ღღ✿。

  早在 10 多年前ღღ✿,台积电就观察到了摩尔定律失速的前兆ღღ✿,毅然决定投入封装技术ღღ✿,在 2008 年底成立了导线与封装技术整合部门(IIPD ) ღღ✿。

  CoWoS 的核心是将不同的芯片堆叠在同一片硅中介层实现多颗芯片互联ღღ✿。在硅中介层中ღღ✿,台积电使用微凸块(μ Bmps)ღღ✿、硅穿孔(TSV)等技术ღღ✿,代替传统引线键合用于裸片间连接ღღ✿,大大提高了互联密度以及数据传输带宽ღღ✿。

  CoWoS 技术实现了提高系统性能ღღ✿、降低功耗ღღ✿、缩小封装尺寸的目标ღღ✿,从而也使台积电在后续的封装技术保持领先ღღ✿。

  据悉ღღ✿,继英伟达 10 月确定扩大下单后ღღ✿,苹果ღღ✿、AMDღღ✿、博通ღღ✿、Marvell 等重量级客户近期也对台积电追加 CoWoS 订单ღღ✿。台积电为应对上述五大客户需求ღღ✿,加快 CoWoS 先进封装产能扩充脚步ღღ✿,明年月产能将比原订倍增目标再增加约 20%ღღ✿,达 3.5 万片——换言之ღღ✿,台积电明年 CoWoS 月产能将同比增长 120%ღღ✿。

  CoWoS-Rღღ✿:它使用重新布线层(RDL)进行布线k8凯发天生赢家一触即发ღღ✿,更强调 Chiplet 间的互连ღღ✿。能够降低成本ღღ✿,不过劣势是牺牲了 I/O 密度ღღ✿;

  CoWoS-Lღღ✿:它使用小芯片(Chiplet)和 LSI(本地硅互连)进行互连ღღ✿,结合了 CoWoS-S 和 InFO 技术的优点ღღ✿,具有灵活集成性ღღ✿。

  多年来尚书好孕txtღღ✿,CoWoS 一直在追求不断增加硅中介层尺寸ღღ✿,以支持封装中的处理器和 HBM 堆栈ღღ✿。台积电通过长期的技术积累和大量成功案例ღღ✿,目前 CoWoS 封装技术已迭代到了第 5 代ღღ✿。

  笔者在此前文章《代工巨头 血拼 先进封装》中提到ღღ✿:虽然 CoWoS 能够为芯片成品带来优势ღღ✿,但受限于成本ღღ✿,在推出的早期只有少数厂家的高端产品采用ღღ✿,对此ღღ✿,台积电决定给 CoWoS 做 减法 ღღ✿,开发出了廉价版的 CoWoS 技术ღღ✿,即 InFO 技术ღღ✿。

  相较于在硅晶圆中间布线做连接的 CoWoS 技术ღღ✿,InFO 封装把硅中介层换成了 polyamide film 材料ღღ✿,从而降低了单位成本和封装高度ღღ✿。这也是 InFO 技术在移动应用和 HPC 市场成功的重要原因ღღ✿,为台积电后来能独占苹果 A 系列处理器打下了关键基础ღღ✿。

  2018 年 4 月ღღ✿,台积电首度对外界公布了创新的系统整合单芯片 ( SoIC ) 多芯片 3D 堆叠技术ღღ✿。

  SoIC 是基于台积电的 CoWoS 与多晶圆堆叠 ( WoW ) 封装技术开发的新一代创新封装技术ღღ✿,这标志着台积电已具备直接为客户生产 3D IC 的能力ღღ✿。

  作为业内第一个高密度 3D chiplet 堆叠技术ღღ✿,SoIC 被看作 3D 封装最前沿 技术ღღ✿。台积电表示ღღ✿,SoIC 能提供创新的前段 3D 芯片堆叠技术ღღ✿,用于重新集成从 SoC 划分的小芯片ღღ✿,最终的集成芯片在系统性能方面优于原始 SoCღღ✿,并且它还提供了集成其他系统功能的灵活性ღღ✿。相较 2.5D 封装方案ღღ✿,SoIC 的凸块密度更高ღღ✿,传输速度更快ღღ✿,功耗更低ღღ✿。

  台积电激进扩产 SoIC 或与大客户需求有关ღღ✿。AMD 是台积电 SoIC 的首发客户ღღ✿,其最新 AI 芯片产品正处于量产阶段ღღ✿,预计明年上市的 MI300 芯片将采用 SoIC 搭配 CoWoSღღ✿,或将成为台积电 SoIC 的一大 代表作 ღღ✿。

  苹果则将采用 SoIC 搭配热塑碳纤板复合成型技术ღღ✿,目前正小量试产ღღ✿,预计 2025-2026 年量产ღღ✿,拟应用在 Macღღ✿、iPad 等产品ღღ✿,制造成本比当前方案更具有优势ღღ✿。若未来 SoIC 顺利导入笔电ღღ✿、手机等消费电子产品尚书好孕txtღღ✿,有望创造更多需求ღღ✿,并大幅提升其他大客户的跟进意愿ღღ✿。

  至于台积电先进封装另一大客户英伟达ღღ✿,其目前高阶产品主要采用 CoWoS 封装技术ღღ✿,但业界认为ღღ✿,未来也将进一步导入 SoIC 技术ღღ✿。

  针对多种先进封装技术方案ღღ✿,台积电宣布将其 2.5D 和 3D 封装产品合并为一个全面的品牌 3DFabricღღ✿,该平台由 SoICღღ✿、CoWoS 和 InFO 等 3D 堆叠和 2.5D 先进封装技术所组成ღღ✿,进一步将制程工艺和封装技术深度整合ღღ✿,以加强竞争力ღღ✿。

  在先进制程以及先进封装中k8凯发天生赢家一触即发ღღ✿,台积电时刻保持 两手抓 的状态ღღ✿,以巩固自身在晶圆制造领域的霸主地位ღღ✿。

  与台积电类似ღღ✿,英特尔经过多年技术探索ღღ✿,也相继推出了 EMIB尚书好孕txtღღ✿、Foveros 和 Co-EMIB 等多种先进封装技术ღღ✿,力图通过 2.5Dღღ✿、3D 等异构集成形式实现互连带宽倍增与功耗减半的目标ღღ✿。

  其中ღღ✿,EMIB 是英特尔在 2.5D IC 上的尝试ღღ✿,其全称是 Embedded Multi-Die Interconnect Bridgeღღ✿。因为没有引入额外的硅中介层ღღ✿,而是只在两枚裸片边缘连接处加入了一条硅桥接层(Silicon Bridge)ღღ✿,并重新定制化裸片边缘的 I/O 引脚以配合桥接标准ღღ✿。

  EMIB 是通过非常小的凸点间距提供高互连密度ღღ✿,从而允许芯片之间具有更高带宽ღღ✿,并且由于走线长度较短ღღ✿,因此比使用有机基板具有更低的功耗ღღ✿。它类似于微型硅中介层ღღ✿,仅覆盖小芯片之间需要连接的区域ღღ✿。

  2018 年底ღღ✿,英特尔推出了名为 Foveros 的全新 3D 封装技术ღღ✿,这是继 EMIB 封装技术之后ღღ✿,英特尔在先进封装技术上的又一个突破k8凯发天生赢家一触即发ღღ✿。

  英特尔表示ღღ✿,Foveros 可以将不同工艺ღღ✿、结构ღღ✿、用途的芯片整合到一起ღღ✿,从而将更多的计算电路组装到单个芯片上ღღ✿,实现高性能ღღ✿、高密度和低功耗ღღ✿。该技术提供了极大的灵活性ღღ✿,设计人员可以在新的产品形态中 混搭 不同的技术专利模块ღღ✿、各种存储芯片ღღ✿、I/O 配置ღღ✿,并使得产品能够分解成更小的 芯片组合 ღღ✿。

  2019 年ღღ✿,英特尔再次推出了一项新的封装技术 Co-EMIBღღ✿,这是一个将 EMIB 和 Foveros 技术相结合的创新应用ღღ✿,能够让两个或多个 Foveros 元件互连ღღ✿,并且基本达到单芯片的性能水准ღღ✿。设计人员能够利用 Co-EMIB 技术实现高带宽和低功耗的连接模拟器ღღ✿、内存和其他模块ღღ✿。

  在 2020 年架构日中ღღ✿,英特尔又展示了在 3D 封装技术领域中的新进展—— 混合键合(Hybrid bonding) 技术ღღ✿。

  当今大多数封装技术中使用的是传统的 热压键合 技术ღღ✿,混合键合是这一技术的替代品ღღ✿。这项新技术是将具有优良电性能的铜和铜直接连接起来ღღ✿,能够加速实现 10 微米及以下的凸点间距ღღ✿,提供更高的互连密度ღღ✿、带宽和更低的功率ღღ✿。

  笔者此前曾在文章中总结道ღღ✿,英特尔先进封装技术的发展主要关注互连密度ღღ✿、功率效率和可扩展性三个方面ღღ✿。其中ღღ✿,Foveros 和混合键合技术主要关注功率效率ღღ✿、互连密度方面ღღ✿,而 Co-emib 和 ODI 技术则体现了集成的可扩展性特点ღღ✿。从 Foveros 到混合键合技术ღღ✿,英特尔逐渐实现凸点间距越来越小ღღ✿,使系统拥有更高的电流负载能力ღღ✿、更好的热性能ღღ✿。

  未来ღღ✿,英特尔还在计划将传统基板转为更为先进的玻璃材质基板ღღ✿,此举旨在对材料进行转换以实现超越现有塑料基板限制的高性能半导体的尝试ღღ✿。

  同时ღღ✿,玻璃基板在热学性能ღღ✿、物理稳定度方面表现都更出色ღღ✿,更耐热ღღ✿,因此可以在基板内实现更高密度的互联ღღ✿。

  因此ღღ✿,英特尔有望通过玻璃载板改进 3D 封装结构ღღ✿。但该技术目前进展较为缓慢ღღ✿,距离真正量产估计还有很长一段时间ღღ✿。

  除了在存储器中大量使用堆叠封装技术外k8凯发天生赢家一触即发ღღ✿,三星在高性能计算芯片上也正大力发展先进封装技术ღღ✿,旨在充分挖掘高性能计算机ღღ✿、AIღღ✿、5Gღღ✿、云以及大型数据中心市场ღღ✿。

  三星分别于 2018 年ღღ✿、2020 年推出了 I-Cube(2.5D)ღღ✿、X-Cube(3D)两种封装技术ღღ✿。其中ღღ✿,I-Cube 作为异质整合技术ღღ✿,可将一个或多个逻辑芯片(如 CPUღღ✿、GPU 等)和多个存储芯片(如 HBM)整合连接在中介层顶部ღღ✿。I-Cube 封装技术可与台积电 CoWoS 封装制程相抗衡ღღ✿,该项技术已投入使用ღღ✿,标志着三星晶圆制造业务领域已从移动设备扩展到数据中心ღღ✿;

  X-Cube 则是使用 TSV 技术在逻辑芯片上堆叠存储器芯片ღღ✿,最大程度上缩短互连长度ღღ✿,在降低功耗的同时能提高传输速率k8凯发天生赢家一触即发ღღ✿。

  2021 年ღღ✿,三星还推出了 2.5D 封装技术 H-Cubeღღ✿,专门用于高性能计算(HPC)ღღ✿、人工智能(AI)ღღ✿、数据中心和网络产品等领域ღღ✿。

  据了解ღღ✿,H-Cube 可以整合 ABF 和 HDI 两种不同特点的基板ღღ✿,实现更大的 2.5D 封装ღღ✿。随着 HPCღღ✿、AI 和网络应用等细分市场的发展ღღ✿,安装在同一个封装中的芯片数量和尺寸都在增加ღღ✿,且需要高带宽进行互连ღღ✿,这种更大面积的封装变得更加重要ღღ✿,H-Cube 的出现也降低了 HPC 等市场的准入门槛ღღ✿。

  今年 9 月ღღ✿,为了追上台积电 AI 芯片的先进封装ღღ✿,三星推出名为 FO-PLP 的 2.5D 封装技术ღღ✿。借由此技术ღღ✿,三星预计可将 SoC 和 HBM 整合到硅中间层上ღღ✿,进一步建构其成为一个完整的芯片ღღ✿。据悉ღღ✿,FO-PLP 的基板是方形ღღ✿,而台积电的 CoWoS 是圆形基板ღღ✿,FO-PLP 不会有边缘基板损耗问题ღღ✿,有较高的生产效率ღღ✿。但由于要将芯片由晶圆移植到方形基板ღღ✿,其作业较为复杂ღღ✿。

  据悉ღღ✿,最新的封装技术 SAINT 包括 SAINT S(垂直堆叠 SRAM 内存和 CPU)ღღ✿,SAINT D(用于 CPUღღ✿、GPU 和内存的垂直封装)ღღ✿,SAINT L(用于堆叠应用处理器)ღღ✿。这一技术的引入旨在应对生成式 AI 和终端装置 AI 的快速发展尚书好孕txtღღ✿,将成为三星电子在先进封装领域的重要一步ღღ✿。

  此外ღღ✿,三星还计划在 2024 年量产可处理比普通凸块更多数据的 X-Cube(u-Bump)封装技术ღღ✿,并预计 2026 年推出比 X-Cube ( u-Bump ) 处理更多数据的无凸块型封装技术ღღ✿。据悉ღღ✿,三星在 2021 年还对外宣称正在开发 3.5D 封装 技术ღღ✿,目前还未有最新消息ღღ✿。

  除了在产品创新上进行投入布局外ღღ✿,三星电子去年开始还积极推进封装基础设施建设和人才引进ღღ✿。2022 年 12 月ღღ✿,三星电子成立了先进封装(AVP)部门ღღ✿,负责封装技术和产品开发ღღ✿,目标是用先进的封装技术超越半导体的极限ღღ✿。

  三星 AVP 业务副总裁暨团队负责人 Kang Moon-soo 指出ღღ✿,三星电子是世界上唯一一家同时从事存储器ღღ✿、逻辑芯片代工和封装业务的公司ღღ✿。因此ღღ✿,三星将利用这些优势提供具有竞争力的封装产品ღღ✿,连接高性能存储器ღღ✿,例如通过异质整合技术ღღ✿,并经由 EUV 制造技术生产最先进的逻辑半导体和 HBMღღ✿。

  相比台积电和英特尔ღღ✿,尽管三星电子的先进封装投资稍显迟缓ღღ✿,但也能看到这两年在先进封装上的押注也非常大ღღ✿。

  近日ღღ✿,据 businesskorea 报道ღღ✿,SK 海力士正准备推出 2.5D 扇出 封装作为其下一代存储半导体技术ღღ✿。

  由于今年在高带宽内存(HBM)领域的成功表现ღღ✿,SK 海力士对下一代芯片技术领域充满信心ღღ✿,正在加紧努力通过开发 专业 内存产品来确保技术领先地位k8凯发天生赢家一触即发ღღ✿。

  据业内人士透露ღღ✿,SK 海力士正准备将 2.5D Fan-out 封装技术集成到继 HBM 之后的下一代 DRAM 中ღღ✿。这项新技术将两个 DRAM 芯片水平排列ღღ✿,然后将它们组合起来ღღ✿,就像是一个芯片一样ღღ✿。一个特征是可以将芯片变得更薄ღღ✿,因为它们下面没有添加基板尚书好孕txtღღ✿。SK 海力士预计最早将于明年公开披露使用这种封装制造的芯片的研究结果ღღ✿,新技术的推出也表明 SK 海力士正在向能够匹配宽接口和成本效率的新方法迈进ღღ✿。

  能看到ღღ✿,SK 海力士的尝试相当独特ღღ✿,因为 2.5D Fan-out 封装此前从未在内存行业尝试过ღღ✿,该技术主要应用于先进系统半导体制造领域ღღ✿。台积电于 2016 年首次将扇出晶圆级封装(FOWLP)商业化尚书好孕txtღღ✿,用于生产 iPhone 的应用处理器ღღ✿,从而获得了苹果的信任ღღ✿。三星电子从今年第四季度开始将这项技术引入到 Galaxy 智能手机的先进 AP 封装中ღღ✿。SK 海力士采用这种新封装的主要原因之一是为了削减成本ღღ✿,业界将 2.5D 扇出封装视为一种可以跳过 TSV 工艺的同时ღღ✿,增加 I/O 接口数量来降低成本的技术ღღ✿。业界推测这种封装技术将应用于 GDDR 和其他需要扩展信息 I/O 的产品中ღღ✿。综合来看ღღ✿,SK 海力士利用这项技术抢占小批量ღღ✿、多样化的内存产品的趋势的战略正在变得更加清晰ღღ✿。SK 海力士正在巩固与世界知名 GPU 公司 Nvidia 的合作ღღ✿;还有一个例子是ღღ✿,SK 海力士为苹果新 AR 设备 Vision Pro 中安装的 R1 计算单元生产并提供了特殊 DRAMღღ✿。SK 海力士总裁 Kwak No-jung 表示ღღ✿: 在人工智能时代ღღ✿,我们将把存储半导体创新为针对每个客户的差异化专业产品ღღ✿。

  在先进封装技术研发方面ღღ✿,没有芯片工厂的 AMD 也在不遗余力ღღ✿,特别是在 HBM 和 GPUღღ✿、CPU 封装方面ღღ✿。

  在 ISSCC 2023 国际固态电路大会上ღღ✿,AMD 提出了多种新的封装设想ღღ✿,其中之一是在服务器 CPU 模块内部直接堆叠内存ღღ✿,而且是多层堆叠ღღ✿。一种方式是将 CPU 模块和内存模块并排封装在硅中介层上ღღ✿;另一种方式是在计算模块上方直接堆叠内存ღღ✿,有点像手机 SoCღღ✿。

  AMD 甚至考虑在 Instinct 系列 GPU 已经整合封装 HBM 的基础上ღღ✿,继续堆叠 DRAMღღ✿,但只有一层ღღ✿,容量不会太大ღღ✿。这样做的最大好处是一些关键算法可以直接在此 DRAM 内执行ღღ✿,不必在 CPU 和独立内存之间往复通信ღღ✿,从而提升性能ღღ✿、降低功耗ღღ✿。

  AMD 还设想在 2D/2.5D/3D 封装内部ღღ✿,集成更多模块ღღ✿,包括内存ღღ✿、统一封装光网络通道物理层ღღ✿、特定域加速器等ღღ✿,并引入高速标准化的芯片间接口通道(UCIe)尚书好孕txtღღ✿。

  11 月 21 日ღღ✿,美国政府新宣布将投入约 30 亿美元资金ღღ✿,用于芯片先进封装行业ღღ✿。鉴于美国在全球芯片封装产能中的占比相对较低ღღ✿,这一举措旨在提高美国在先进封装领域的市场份额尚书好孕txtღღ✿,补足其半导体产业链的短板ღღ✿。

  美国商务部副部长劳里 · 洛卡西奥在宣布这一投资计划时表示ღღ✿: 在美国制造芯片ღღ✿,然后把它们运到海外进行封装ღღ✿,这会给供应链带来风险ღღ✿。这项投资计划将有助于确保美国在半导体产业链上的各个环节都具有竞争力ღღ✿。

  此外ღღ✿,联电ღღ✿、格芯ღღ✿、中芯国际等晶圆代工企业ღღ✿,以及日月光ღღ✿、国内封测三雄(长电科技ღღ✿、通富微电ღღ✿、华天科技)也都看到了先进封装的发展前景ღღ✿,展开积极布局ღღ✿,聚焦先进封装技术和解决方案ღღ✿。

  后摩尔时代ღღ✿,先进封装正在成为各大厂商的发力点和必然选择ღღ✿,不同商业模式的企业都在同一个高端封装市场空间展开竞争ღღ✿。

  以 Foundry 为例ღღ✿,由于 2.5D/3D 封装技术中涉及前道工序的延续ღღ✿,晶圆代工厂对前道制程非常了解ღღ✿,对整体布线的架构有更深刻的理解ღღ✿,走的是芯片制造 + 封装高度融合的路线ღღ✿。因此ღღ✿,在高密度的先进封装方面ღღ✿,Foundry 比传统 OSAT 厂更具优势ღღ✿。

  这也使得先进封装成为当前业内几大主流半导体晶圆制造厂商重点发展的技术ღღ✿。台积电ღღ✿、英特尔和三星等代工巨头已成功利用先进封装市场的增长ღღ✿,实现了其技术壁垒的不断提升ღღ✿。

  而 SK 海力士ღღ✿,则试图抓住存储在 AI 时代与大算力芯片强结合的市场红利ღღ✿,跻身先进封装领域分一杯羹ღღ✿。

  总体而言ღღ✿,先进封装的出现ღღ✿,让业界看到了通过封装技术推动芯片高密度集成ღღ✿、性能提升ღღ✿、 体积微型化和成本下降的巨大潜力ღღ✿,先进封装技术正成为集成电路产业发展的新引擎ღღ✿。