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　　纳芯微全新推出GaN相关产品ღ✿★，包含GaN驱动NSD2621与集成化的Power Stage产品NSG65N15Kღ✿★，均可广泛适用于快充ღ✿★、储能ღ✿★、服务器电源等多种GaN应用场景ღ✿★。

　　其中ღ✿★，NSD2621是一颗高压半桥栅极驱动芯片濑亚美莉qvodღ✿★，专门用于驱动E−mode（增强型）GaN 开关管ღ✿★；NSG65N15K是一颗集成化的Power Stage产品凯发k8手机客户端ღ✿★，内部集成了高压半桥驱动器和两颗650V耐压的GaN开关管ღ✿★。

　　1. NSD2621将隔离技术应用于高压半桥驱动ღ✿★，解决了GaN应用桥臂中点SW引脚的共模瞬变和负压尖峰问题ღ✿★。

　　在GaN应用中ღ✿★，为了减小开关损耗ღ✿★，其开关速度远高于传统的Si MOSFET, 桥臂中点的dv/dt达到了50V/ns甚至更高ღ✿★，这对驱动芯片SW引脚的共模瞬变抗扰度提出了极高的要求ღ✿★。同时ღ✿★，高速开关导致的di/dt与寄生电感会在SW引脚产生瞬态负压尖峰ღ✿★，导致驱动芯片发生闩锁甚至损坏ღ✿★。

　　NSD2621的上管驱动采用隔离技术进行设计ღ✿★，共模瞬变抗扰度高达150V/nsღ✿★，并且可以耐受700V的负压ღ✿★，有效提升了系统的可靠性ღ✿★。

　　2. NSD2621内部集成稳压器ღ✿★，有利于保持栅极驱动信号幅值稳定ღ✿★，保护GaN开关管栅级免受过压应力的影响凯发天生赢家一触即发ღ✿★，ღ✿★。

　　与传统的Si MOSFET器件不同ღ✿★，E-mode GaN器件的栅源电压要求极为严格ღ✿★，一般耐压最大值不超过7Vღ✿★。在开关电源中由于系统噪声的影响ღ✿★，驱动芯片VDD或者BST引脚容易引入高频干扰ღ✿★，会引起栅极驱动电压的过冲凯发k8手机客户端ღ✿★，从而导致GaN开关管损坏ღ✿★。

　　NSD2621上下管的驱动输出都集成了内部稳压器LDOღ✿★，可以有效抑制VDD或BST引入的高频干扰ღ✿★，避免损坏GaN开关管凯发k8手机客户端ღ✿★。此外NSD2621可以灵活地选择6V/5.5V/5V不同驱动电压版本ღ✿★，适用于各类品牌的GaN开关管器件ღ✿★。

　　3. NSD2621超短传输延时有利于减小GaN死区损耗ღ✿★，并且内置可调死区时间功能ღ✿★，可有效避免发生桥臂直通ღ✿★。

　　GaN器件可以反向导通ღ✿★，其反向导通特性代替了普通MOSFET体二极管的续流作用ღ✿★，但在负载电流较大时其较高的反向导通压降会造成较大损耗ღ✿★，降低了系统效率ღ✿★。为了减小GaN反向导通损耗ღ✿★，应设置尽可能小的死区时间ღ✿★。死区时间的设置除了与电源的拓扑结构ღ✿★、控制方式有关ღ✿★，还受到驱动芯片传输延时的限制ღ✿★。

　　传统的高压半桥驱动芯片的上管驱动需要采用电平移位设计ღ✿★，为减小功耗多采用脉冲锁存式电平转换器ღ✿★，造成传输延时较长ღ✿★，无法满足GaN 应用的需求ღ✿★。NSD2621上管驱动采用纳芯微擅长的隔离技术进行设计ღ✿★，传输延时典型值仅30ns濑亚美莉qvodk8凯发·(中国区)天生赢家一触即发ღ✿★。ღ✿★，并且上下管驱动的传输延时匹配在10ns以内ღ✿★，能够实现对GaN开关管设置几十纳秒以内的死区时间ღ✿★。同时ღ✿★，NSD2621内置20ns~100ns可调的硬件死区时间ღ✿★，可以有效避免发生桥臂直通的情况ღ✿★。

　　如上图所示ღ✿★，CH1为上管驱动输入 ღ✿★，CH2为下管驱动输入ღ✿★，CH3为上管驱动输出ღ✿★，CH4为下管驱动输出ღ✿★。一开始当上管和下管驱动输入都为高电平时ღ✿★，为避免桥臂直通ღ✿★，上下管驱动输出都为低电平ღ✿★；当下管驱动输入变为低电平ღ✿★，经过30ns的传输延时和内置20ns的死区时间后ღ✿★，上管驱动输出变为高电平ღ✿★。

　　为进一步发挥GaN高频ღ✿★、高速的特性优势ღ✿★，纳芯微同时推出了集成化的Power Stage产品NSG65N15K濑亚美莉qvodღ✿★，内部集成了半桥驱动器NSD2621和两颗耐压650Vღ✿★、导阻电阻150mΩ的GaN开关管凯发k8手机客户端ღ✿★，工作电流可达20Aღ✿★。NSG65N15K内部还集成了自举二极管ღ✿★，并且内置可调死区时间K8天生赢家一触发ღ✿★、欠压保护ღ✿★、过温保护功能ღ✿★，可以用于图腾柱PFCღ✿★、ACF和LLC等半桥或全桥拓扑ღ✿★。

　　1. NSG65N15K用一颗器件取代驱动器和两颗开关管组成的半桥ღ✿★，有效减少元件数量和布板面积ღ✿★。

　　NSG65N15K是9*9mm的QFN封装ღ✿★，相比传统分立方案的两颗5*6mm DFN封装的GaN开关管加上一颗4*4mm QFN封装的高压半桥驱动ღ✿★，加上外围元件ღ✿★，总布板面积可以减小40%以上ღ✿★，从而有效提高电源的功率密度ღ✿★。同时ღ✿★，NSG65N15K的走线更方便PCB布局ღ✿★，有利于实现简洁快速的方案设计凯发k8手机客户端ღ✿★。

　　2. NSG65N15K的合封设计有助于减小驱动和开关管之间的寄生电感ღ✿★，简化系统设计并提高可靠性ღ✿★。

　　如下图所示濑亚美莉qvod凯发k8手机客户端ღ✿★，传统的分立器件方案ღ✿★，会引入由于PCB走线造成的栅极环路电感Lg_pcb和由于GaN内部打线造成的共源极电感Lcsღ✿★。

　　其中ღ✿★，栅极环路电感Lg_pcb会在栅极电压开通或关断过程产生振铃ღ✿★，如果振铃超出GaN的栅源电压范围ღ✿★，容易造成栅极击穿ღ✿★；并且在上管开通过程中ღ✿★，高dv/dt产生的米勒电流会在下管的Lg_pcb上产生正向压降ღ✿★，有可能造成GaN的栅极电压大于开启电压ღ✿★，从而误导通ღ✿★。而共源极电感Lcs造成的影响ღ✿★，主要是会限制GaN电流的di/dtღ✿★，增加额外的开关损耗ღ✿★；此外凯发国际k8官网ღ✿★，ღ✿★，在GaN开通过程电流增大天生赢家 一触即发ღ✿★！ღ✿★，由于di/dt会在Lcs上产生正向压降ღ✿★，降低了GaN的实际栅极电压ღ✿★，增大了开通损耗ღ✿★。

　　如上图所示ღ✿★，NSG65N15K通过将驱动器和GaN合封在一起ღ✿★，消除了共源极电感Lcs濑亚美莉qvodღ✿★，并且将栅极回路电感Lg也降到最小凯发k8·[中国]官方网站ღ✿★！ღ✿★，避免了杂散电感的影响ღ✿★，可以有效地提高系统效率与可靠性ღ✿★。