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来源:凯发k8·[中国]官方网站 发布时间:2024-08-05

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  两者之间的下一个关键区别是◈◈★ღ,JFET 允许的输入阻抗比 MOSFET 小◈◈★ღ,因为后者嵌入了绝缘体TOBU8韩国日本◈◈★ღ,因此漏电流更少凯发官方app下载◈◈★ღ。

  JFET通常被称为“ON 器件”是一种耗尽型工具◈◈★ღ,具有低漏极电阻◈◈★ღ,而MOSFET通常被称为“OFF 器件”◈◈★ღ,可以在耗尽模式和增强模式下工作并具有高漏极电阻◈◈★ღ。

  在 JFET 中◈◈★ღ,电场施加在控制电流流动的栅极端子上TOBU8韩国日本◈◈★ღ。从漏极流向源极端子的电流与施加的栅极电压成正比TOBU8韩国日本◈◈★ღ。

  施加在栅极到源极端子的电压允许电子从源极移动到漏极◈◈★ღ。因此◈◈★ღ,从漏极流向源极的电流称为漏极电流 I D凯发官方app下载◈◈★ღ。

  当栅极端子相对于源极为负时TOBU8韩国日本◈◈★ღ,耗尽区的宽度增加◈◈★ღ。因此◈◈★ღ,与无偏置条件相比◈◈★ღ,允许较少数量的电子从源极移动到漏极◈◈★ღ。

  MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管的首字母缩写◈◈★ღ。在这里TOBU8韩国日本◈◈★ღ,器件的电导率也根据施加的电压而变化◈◈★ღ。

  相反◈◈★ღ,在增强型MOSFET中◈◈★ღ,不存在任何预先构建的沟道◈◈★ღ。在这里TOBU8韩国日本凯发官方app下载◈◈★ღ,传导开始于通过施加的电压创建通道◈◈★ღ。

  在 D-MOS 中◈◈★ღ,负施加的栅极电位增加了沟道电阻◈◈★ღ,从而降低了漏极电流◈◈★ღ。相反◈◈★ღ,在 E-MOS 中◈◈★ღ,其工作需要大的正栅极电压◈◈★ღ。

  JFET 的电导率是由栅极的反向偏置控制的凯发官方app下载◈◈★ღ,而 MOSFET 的电导率是由沟道中感应的载流子控制的◈◈★ღ。

  在 JFET 沟道和栅极中形成两个 PN 结◈◈★ღ,但在 MOSFET 沟道和栅极中由两个并联电容组成◈◈★ღ。